000001683 001__ 1683
000001683 035__ $$a35701 
000001683 037__ $$aROMDOC-THESIS-2017-1163
000001683 041__ $$arum
000001683 100__ $$aOfrim, Bogdan Alexandru
000001683 245__ $$aSistem de testare şi măsurare automată a dispozitivelor electronice realizate pe semiconductoare de bandă largă 
000001683 260__ $$c2012-02-21
000001683 520__ $$aSistem de testare și măsurare automată a dispozitivelor electronice realizate pe semiconductoare de bandă largă - Abstract - Teza își propune investigarea de senzori de gaze bazați pe capacitorul MOS. Sunt studiate capacitoare MOS pe siliciu (Si) și carbură de siliciu (SiC) folosite ca detectoare de hidrogen în medii ostile și la temperaturi înalte. De asemenea, în lucrare se proiectează (hardware și software) un sistem automat de caracterizare a dispozitivelor ce va fi utilizat și pentru testarea capacitoarelor senzor. Inițial, studiul se concentrează pe o comparație între structurile de capacitor MOS pe Si și SiC utilizate ca senzori de hidrogen. Această analiză presupune simularea caracteristicii C-V a senzorului. Influența sarcinii fixe captate în oxid și a sarcinii de la interfața oxid-semiconductor asupra caracteristicii C-V este analizată. Temperatura maximă de funcționare și comportamentul structurilor într-un mediu cu hidrogen sunt determinate. Studiul este aprofundat pe o structură de capacitor SiC-MOS folosită ca senzor de hidrogen la temperaturi înalte. Sunt analizate performanțele acestui detector: sensibilitatea la detecția hidrogenului stabilitatea la variația temperaturii dependența de concentrația stărilor de la interfața oxid-semiconductor. Prin simulări multiple se investighează efectele: geometriei structurii tipului de oxid politipului de SiC asupra performanțelor senzorului în detecția hidrogenului. Se determină structura optimă pentru detecția de hidrogen la temperaturi înalte. Pentru a caracteriza și testa capacitorul MOS pe SiC studiat este dezvoltat un sistem de măsură. Acest sistem este folosit pentru caracterizarea la temperaturi înalte a dispozitivelor realizate pe semiconductori de bandă largă. Diferite componente hardware sunt integrate pentru a permite efectuarea de caracterizări I-V și C-V ale dispozitivelor semiconductoare cu 2 terminale. O aplicație software este dezvoltată pentru automatizarea procesului de caracterizare. This thesis presents a study of gas sensors based on MOS capacitor. Structures on silicon (Si) and silicon carbide (SiC) used as hydrogen detectors in high temperature and harsh environments are investigated. Also, a device characterization system used to test the MOS detectors is designed (harware and software). Initially, the sudy concentrates on a comparison between MOS capacitor sensors based on Si and SiC. This analysis employes the simulation of the sensor’s C-V characteristic. The influence of fixed oxide charge and interface charge on C-V curve is analyzed. The maximum operating temperature and the structures’ behavior in a hydrogen environment are determined. The study continues on a SiC-MOS capacitor structure used as a hydrogen detector at high temperatures. The performances of this sensor are analyzed: sensitivity to hydrogen stability with temperature dependence on interface states density. The effects of: structure geometry oxide type SiC polytype on sensor’s performance in detecting hydrogen are investigated by extensive simulations. The optimal stucture is determined. A measurement system is developed in order to characterize the SiC-MOS capacitor. This system is used for testing large band gap semiconductor devices at high temperatures. Different hardware components are integrated to allow I-V and C-V characterization of semiconductor devices with 2 terminals. A software application is developed to automize the characterization process.
000001683 6531_ $$aMOS (Metal Oxide Semiconductor) -- Teză de doctorat
000001683 6531_ $$aSenzori de gaze -- Hidrogen -- Teză de doctorat
000001683 6531_ $$aMicrosenzori -- Teză de doctorat
000001683 6531_ $$aDetector de gaze -- Teză de doctorat
000001683 6531_ $$aDispozitive electronice -- Teză de doctorat
000001683 8560_ $$ff_costache@library.pub.ro
000001683 8564_ $$uhttp://romdoc.upb.ro/record/1683/files/$$zAccess to Fulltext
000001683 980__ $$aTHESIS