Thesis /

ROMDOC-THESIS-2016-413

Modele unificate pentru dispozitive MOS

Eftimie, Sabin
2009-12-18

Abstract: Modele unificate pentru dispozitivele MOS Modelul Rusu. Evaluare si aplicatii Abstract Modelarea dispozitivelor semiconductoare are o importanta deosebita prin rolul pe care îl are în proiectarea de circuite integrate cu ajutorul programelor de tip SPICE. Tranzistorul MOS a devenit cel mai important dintre aceste dispozitive, folosit pe scara larga în special datorita posibilitatilor sale de integrare, deci modelarea acestuia a devenit o problema importanta a ultimilor ani. În modelarea tranzistorului MOS, inversia moderata a devenit din ce în ce mai importanta, odata cu scaderea tensiunii de alimentare si a puterii consumate de circuitele integrate. Unele dintre cele mai folosite modele MOS, sunt modele aritmetice, care folosesc functii de interpolare sau expresii pur aritmetice pentru a modela inversia moderata. Pentru aceasta au nevoie de foarte multi parametri de fitare, modelele respective ajungând sa aiba zeci de astfel de parametri. Pe de alta parte, modelele bazate pe potentialul la suprafata canalului sunt modele cu un bogat continut fizic, acest fapt reducând semnificativ numarul de parametri necesari. Lucrarea de fata îsi propune sa faca o prezentare a unuia dintre aceste modele, modelul Rusu, atât din punct de vedere teoretic cât si practic. Modelul va fi observat în trei ipostaze: stabilirea limitelor inversiei moderate, studierea variatiei cu temperatura a curentilor de difuzie si de câmp si extractia de parametri pentru modelarea curentului de drena. Modeling of semiconductor devices has a real importance in designing integrated circuits. The MOS tranzistor is the most important from these devices, so its modeling became a priority for the SPICE type software developers. In MOS modeling, the region between subtreshold and strong inversion, called moderate inversion region, has received little attention. Conventional models like BSIM or EKV are using mathematical smoothing functions to model the moderate inversion. As the supply voltages are scaled down, this region becomes an increasingly larger fraction in the overall operation bias of MOSFETs. Because of this, the smoothing functions for moderate inversion increased in complexity and in number of parameters. The surface potential based models are solving this problem by increasing the physical content of the model, thus using a small number of parameters. This paper proposes to present Rusu model, which is a surface potential based one. The model will be evaluated in three different applications: establishing the moderate inversion limits, the variation with temperature of the diffusion current and the drift current and parameter extraction in order to obtain a precise model for the drain current.

Keyword(s): MOS (electronică) -- Modelare -- Teză de doctorat
OPAC: See record in BC-UPB Web OPAC
Full Text: see files

Similar records

 

People who viewed this page also viewed:

(270)  Optimizarea conceptuală şi operaţională a instalaţiilor chimice multiscop - Voinescu, Sorin - ROMDOC-BC_UPB-THESIS-2003-000000054 (259)  Simularea numerică a echipamentelor hidropneumatice de aviaţie - Dincă, Liviu - ROMDOC-BC_UPB-THESIS-2005-000013939 (259)  Managementul congestiilor în sistemele electroenergetice în prezenţa surselor regenerabile - Boambă, Claudia-Elena - ROMDOC-THESIS-2021-2325 (258)  Sisteme electronice de control automat a proceselor tehnologice din industria cimentului - Bernea, Florin George - ROMDOC-THESIS-2021-2312 (258)  Creşterea performanţei şi a siguranţei în SEN prin utilizarea sistemelor de comandă, control, protecţie şi automatizare din perspectiva conceptului Smart Grids - Nicorescu, Hariss - ROMDOC-THESIS-2020-2190

 

Rate this document:

Be the first to review this document.

Discuss this document:

Start a discussion about any aspect of this document.